삼성전자, HBM5 베이스 다이에 2나노 공정 추진…“속도 50% 향상 필요”

삼성전자가 8세대 고대역폭메모리(HBM5) 베이스다이에 게이트올어라운드(GAA) 기반 2나노(㎚) 공정을 선제 도입한다. 구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 27일 자사 뉴스룸을 통해 “HBM5는 직전 세대인 HBM4E보다도 동작 속도를 약 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다”며 “베이스 다이에는 동작 속도는 물론 전력 효율 관점에서도 큰 폭의 개선을 이끌어낼 수 있는 최선단 공정을 준비하고 있다”고 밝혔다. 구 부사장은 “HBM5의 베이스 다이는 GAA 구조를 사용하는 2나노 공정을 적용하고 더욱 높은 집적도의 실리콘관통전극(TSV)을 구현할 예정”이라며 “HBM5에서 2나노 공정을 선제 도입해 기술 리더십을 확고히 할 것”이라고 말했다. HBM은 코어 다이와 베이스 다이를 쌓아 패키징하는 제품이다. 삼성전자는 코어 다이는 메모리에서, 베이스 다이는 파운드리에서 각각 제조한 후 패키징해 완제품을 만드는 턴키(Turn-key) 솔루션을 제공하고 있다. 구 부사장은 “삼성전자는 설계와 제조, 패키징을 다 한다. 이 때문에 설계 단계에서부터 메모리·파운드리 등 관련 조직들이 협업해 속도, 전력, 발열 및 수율에 유리하게 설계를 최적화할 수 있다”며 “양산 제품을 완성하는 시간도 단축할 수 있어 비용 관점에서도 유리하다”고 설명했다. 이형두 기자 dudu@etnews.com